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索尼 Xperia 新品全球发布会官宣将于北京时间 5 月 11 日 12 点举行，本次发布会的口号为“新‘1’代，更期待”，预计将推出 Xperia 1 V 和 Xperia 5 V 两款迭代机型。

作为“大法”的旗舰手机系列，Xperia 1 系列一直吸引着众多索尼粉丝的瞩目，它的迭代也总能给手机圈带来让人新鲜的新技术。本次Xperia 1 V 有望首度搭载此前盛传已久的索尼二代手机影像传感器技术——双层CMOS架构。从已经流出的香港户外宣传海报来看，官方译名为“次世代双倍低噪感光元件”。

此前，已经有人爆料iPhone 15 Pro Max 即将搭载的定制款CMOS IMX903就即将采用此技术架构，将以更小的面积带来超过IMX 989约三分之一的进光量，是索尼的又一黑科技。而首发这种技术的，就是索尼自家的旗舰手机Xperia 1 V。

这种双层CMOS技术的关键在于，它将每个感光点(“像素”)的晶体管元件与光敏光电二极管元件分开，将这两个元件放置在单独的堆叠层上——晶体管在光电二极管下方移动。与传统的CMOS传感器相比，这两个元件在同一层上彼此相邻，晶体管消耗大约一半的表面积。因此，理论表明，能够利用整个传感器区域的聚光光电二极管可以加倍传感器的光灵敏度，从而增加动态范围和减少图像噪声在高灵敏度。索尼自己表示，2层CMOS结构大约“将饱和信号水平提高了一倍”。

除了提升影像能力，该架构还将有望减小厚度，为手机节省更多空间。目前手机影像已经进入一英寸时代和“联名”时代，各家分别在硬件和算法上两条腿走路，共同发力。在算法上，各家已经各自走出了自己的风格，而这种硬件上的新技术革命势必会引发手机影像的又一轮高潮。虽然有消息称，已经有主机厂向索尼定制了M43画幅大小的手机CMOS，但我认为这不一定会受到所有厂商的追捧和跟进。以大趋势来看，手机CMOS的面积不会无限增大，毕竟搭载一英寸的几台影像旗舰的厚度和手感已经收到了诸多诟病，更大的CMOS势必会要求更大的镜头，使得这方面的问题更加突出。但如果新技术能够以更小的面积获得和更大底一样甚至更好的体验，那么手机的重量和画质将迎来完美的平衡。

更为重要的一点，如果该技术逐步成熟，可以适配更大底的架构，那么相机产业也将迎来新的革命，众所周知小底最大的劣势就是进光量、动态范围和噪声水平，而新架构恰恰提升了这方面的表现。还有就是同等像素量下小底会有更小的单像素面积，而该技术对于小于1.4um的像素有很大的作用，而对于特别大的像素，比如>3um的像素，就没太多作用了。这无异是小底高像素的福音。到时候“手机超相机”、“APS-C赛全幅”、“全画幅碾压中画幅”都不再是梦了，而相机圈也要跟着乱上一阵子了。

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